molecular beam desorption

См. также в других словарях:

• Matrix-assisted laser desorption/ionization — MALDI TOF mass spectrometer Matrix assisted laser desorption/ionization (MALDI) is a soft ionization technique used in mass spectrometry, allowing the analysis of biomolecules (biopolymers such as DNA, proteins, peptides and sugars) and large… …   Wikipedia

• Metabolomics — is the scientific study of chemical processes involving metabolites. Specifically, metabolomics is the systematic study of the unique chemical fingerprints that specific cellular processes leave behind , the study of their small molecule… …   Wikipedia

• List of materials analysis methods — List of materials analysis methods: Contents: Top · 0–9 · A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z μSR see Muon spin spectroscopy …   Wikipedia

• Stranski-Krastanov growth — (SK growth, also Stransky Krastanov or Stranski Krastanow) is one of the three primary modes by which thin films grow epitaxially at a crystal surface or interface. Also known as layer plus island growth , the SK mode follows a two step process:… …   Wikipedia

• INTERFACES — Une interface peut être définie, de la façon la plus générale, comme étant la zone qui sépare deux milieux A et B. Ces milieux doivent différer par au moins une des propriétés suivantes: – composition chimique; – nature des phases: solides,… …   Encyclopédie Universelle

• Epitaxie — (von griechisch epi „auf“, „über“ und taxis im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn… …   Deutsch Wikipedia

• Ultra high vacuum — (UHV) is the vacuum regime characterised by pressures lower than about 10−7 pascal or 100 nanopascals ( 10−9 torr). UHV requires the use of special materials in creating the vacuum system, extreme cleanliness to maintain the vacuum system, and… …   Wikipedia

• GaMnAs — Gallium manganese arsenide (abbreviated GaMnAs, or (Ga,Mn)As, or Ga1 xMnxAs) is a dilute III V magnetic semiconductor based on doping gallium arsenide (GaAs) with manganese (Mn). Manganese atoms are substituted for gallium, creating both a local… …   Wikipedia

• Epitaktisch — Epitaxie (v. griech. „epi“ „auf“, „über“ und „taxis“ im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, bei welcher die kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) derjenigen… …   Deutsch Wikipedia

• Epitaxie Par Jets Moléculaires — Épitaxie par jet moléculaire Système d épitaxie par jets moléculaires au laboratoire d analyse et d architecture des systèmes à Toulouse (France) L épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à …   Wikipédia en Français

• Epitaxie par jet moleculaire — Épitaxie par jet moléculaire Système d épitaxie par jets moléculaires au laboratoire d analyse et d architecture des systèmes à Toulouse (France) L épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à …   Wikipédia en Français